다. 경영진 및 감사의 중요한 변동

나. 자기주식 취득 및 처분 현황

다. 자기주식 직접 취득ㆍ처분 이행현황

라. 자기주식 보유현황

(주1) 상기 발행주식 총수대비 비중은 본 보고서 작성 기준일 총 발행주식수 기준 입니다. (주2) 상기 2022년 취득한 자기주식의 수량은 '26년 1월 9일 자기주식처분결정에 따라 선입선출에 의거 처분한 19,550주를 제외한 수량 및 비중입니다.

마. 단기 자기주식 취득ㆍ처분ㆍ소각 계획

(주1) 상기 처분수량은 '26년 1월 기 처분한 자기주식을 포함한 수량 입니다. (주2) 상기 처분 계획 39,550주 중 19,550주는 '26년 1월 9일 자기주식처분결정을 공시하였으며, 동년 1월 16일 처분 결과를 공시하였고, 이에 따라 본 보고서 제출일 기준 자기주식수는 261,027주 입니다.(주3) 상기 계속보유 수량은 '25년 기말 자기주식수에서 처분 계획 수량을 제외한 수치 입니다.

바. 단기 자기주식 취득ㆍ처분ㆍ소각 계획 이행현황

(주1) 당사는 '26년 1월 9일 자기주식처분결정을 공시하였으며, 동년 1월 16일 처분 결과를 공시하였습니다.

4. 자기주식 취득ㆍ처분ㆍ소각 관련 장기 계획

- 계속 보유하는 자기주식은 향후 임직원 주식보상용으로 처분할 예정.

5. 기타 투자자 보호를 위해 필요한 사항

- 향후 자기주식 취득 및 처분, 소각에 따른 변경사항 발생 시 공시 예정.

나. 정관 변경 이력

라. 사업목적 변경 내용과 그 사유1. 변경 내용

2. 변경 사유

당사는 2023년 3월 28일에 열린 제13기 정기주주총회에서 향후 신사업 준비 목적으로 특별결의 사항으로 주총 안건을 진행하여 정관 상 사업목적을 위와 같이 추가하였습니다. 해당 추가된 사업은 당사가 기존 영위 중인 사업에 미치는 영향은 없습니다.

마. 정관상 사업목적 추가 현황표

1. 사업 분야(업종, 제품 및 서비스의 내용 등) 및 진출 목적- 당사가 새롭게 사업목적으로 추가한 영역은 온오프라인 아트산업과 관련된 Fine Art Market Place Platform 으로 키우고자 추가하였습니다.

2. 시장의 주요 특성ㆍ규모 및 성장성- 현재 당사가 진행하고자 하는 신규사업은 최근 아트 작품들의 디지털 IP 화 와 더불어 소유권, 인증관련 산업 등 다양한 형태로 발전되어 가고 있습니다. 최근 10년동안 온오프라인 아트마켓 매출이 상당히 상승하고 있으며, NFT, 미디어 및 엔터테인먼트 분야 시장이 해당 매출을 이끌어나가고 있습니다.

3. 신규사업과 관련된 투자 및 예상 자금소요액(총 소요액, 연도별 소요액), 투자자금 조달원천, 예상투자회수기간 등- 당사는 사업을 준비 및 시작하는 초기라 현재 시점에서 예상자금액 등을 기재하기에 는 어렵습니다. 당사는21년부터 당사가 추진하고자 하는 사업과 유관사업을 영위하고 있는 ㈜아트토큰에 투자 하였습니다.

4. 사업 추진현황(조직 및 인력구성 현황, 연구개발활동 내역, 제품 및 서비스 개발 진척도 및 상용화 여부, 매출 발생여부 등)- 신사업 관련 담당부서, 담당자, 투자진행상황 등을 점진적으로 계획해 진행할 예정입니다.

5. 기존 사업과의 연관성 및 주요 위험- 기존 사업과의 연관성 및 주요위험 사항은 현재로서는 없습니다.

6. 향후 추진계획 / 미추진 사유- 현재 당사의 주력사업인 반도체 시장상황이 시시각각 변화하고 있어 이에 따라 추후 시장 정세에 따라 점진적으로 계획을 세울 예정입니다.

1. 사업의 개요

반도체 전(前)공정 패턴 결함 검사 장비는 웨이퍼 표면에 형성된 전기 회로의 이미지를 촬상하고 반복되는 동일한 이미지를 서로 비교하여 차이점을 찾아내는 장비입니다. 웨이퍼 표면에 형성된 전기회로의 촬상 이미지를 얻는 방법에 따라 전자선 검사 장비(E-beam Inspection System)와 광학 검사 장비(Optical Inspection System)로 나누어집니다.

전자선 검사 장비는 이미지를 촬상하기 위한 광원(Illumination Source)으로 2차 주사 전자 (Secondary Electron Scanning)를 사용하여 매우 높은 배율로 확대된 이미지를 촬상할 수 있는 장점이 있어 매우 작은 미소 결함(<7nm)까지 검출할 수 있는 장점이 있으나 전자선을 사용하기 위해서 매우 낮은 압력의 초고진공 상태에서 이미지 촬상을 진행하여야하기 때문에 검사 속도가 매우 느린 단점이 있으며 이에 따라 주로 연구용 목적으로 사용됩니다

당사가 제조하고 있는 광학 검사 장비는 대기압 하에서 이미지 촬상을 진행하기 때문에 검사 속도가 전자선 검사 장비에 비하여 매우 빠른 장점이 있으며, 사용하는 광원의 파장에 따라 극자외선 (DUV, 266nm) 장비, 자외선(UV, 355nm) 장비, 가시광선(Visible, 400nm ~ 600nm) 장비로 나누어집니다. 또는 반사광(Reflected Beam)을 이용하여 이미지를 촬상하는 Bright-field 장비와 산란광(Scattered Beam)을 이용하여 이미지를 촬상하는 Dark-field 장비로 구분하기도 합니다. 활용하는 목적(Application)에 따라 나노미터급(Nanometer Scale) 결함을 검출하는 장비(Inspection System)와 마이크로미터급(Micrometer Scale) 결함을 검출하는 장비(Vision System 또는 Macro Inspection System)로 구분하기도 합니다.

이러한 광학 검사 장비는 이미지를 촬영하는 방법에 따라 반사광을 이용하는 Bright-field 검사 장비와 산란광을 이용하는 Dark-field 검사 장비로 구분됩니다.

Bright-field 검사 장비는 주로 극자외선(DUV)을 광원으로 사용하며, 반사광을 이용하여 촬상 하기 때문에 촬상된 이미지의 해상도가 매우 높아 매우 작은 크기의 미소 결함(~ 15nm) 까지도 검출이 가능합니다. 하지만 이를 위하여 높은 배율의 고해상도 이미지를 촬상하여야 하기 때문에 검사 속도가 상대적으로 느리고 장비 가격이 매우 높은 단점이 있습니다. 주로 사진 공정이나 식각 공정에서 발생하는 패턴 결함을 검출하는 목적으로 사용합니다.

Dark-field 검사 장비는 주로 자외선(UV)을 광원으로 사용하며, 산란광을 이용하여 촬상하기 때문에 검사 속도가 상대적으로 빠르고 장비 가격이 낮은 장점이 있으나 산란광으로 획득한 이미지의 해상도 한계 때문에 검출 가능한 결함의 크기가 상대적으로 다소 큰(~ 30nm) 단점이 있습니다.

당사의 장비는 Bright-field 검사와 Dark-field 검사를 위한 광학 구성을 한 장비 내에서 구현하여 Bright-field 검사와 Dark-field 검사를 선택할 수 있는 복합 구성 장비(Combo-system)입니다. 사용 목적에 따라 광경로를 Bright-field 또는 Dark-field 로 선택이 가능하여 최대의 검사 감도를 제공하는 모드(Bright-field Mode or Dark-field Mode)를 선택하여 검사를 진행할 수 있는 장점이 있습니다.

최근 반도체 산업은 무어의 법칙의 한계를 극복하기 위해, 이종 소자(Logic, Memory 등)의 적층(Heterogeneous Integration) 을 통한 첨단 패키징(Advanced Packaging) 기술로 진화하고 있습니다. 이른바 첨단 패키징 시대(Advanced Packaging Era) 가 본격적으로 도래하면서, 반도체의 성능 향상 경쟁은 미세공정 한계를 넘어 칩 간 연결과 적층 기술의 정밀도로 옮겨가고 있습니다.

이러한 변화의 중심에는 HBM(High Bandwidth Memory) 이 있습니다. HBM은 다수의 메모리 칩을 수직 적층(3D Stacking) 하고 TSV(Through-Silicon Via) 로 연결하여, 기존 DRAM 대비 월등히 높은 대역폭(Bandwidth) 과 에너지 효율(Efficiency) 을 구현하는 핵심 기술입니다. 하지만 HBM을 만들기 위한 과정에서 웨이퍼 워피지(Warpage), 현상으로 칩핑(Chipping), 크랙(Crack) 등의 미세 결함 검사의 한계로, 양품 칩(known good die) 의 정밀 선별이 무엇보다 중요해졌습니다.

특히, 12단 HBM3E 적층 공정에서는 웨이퍼의 두께 감소와 워피지(Warpage) 현상으로 인해 기존 글로벌 검사장비들은 안정적인 결함 검출이 어렵습니다. 반면, 당사의 KROKY 장비는 12단 HBM3E부터 실제 양산 라인에 적용되어, 광원의 세기와 입사각을 정밀하게 최적화한 독자 광학 기술을 통해 음영 없는 선명한 이미지 확보가 가능합니다. 이를 통해 타사 장비로는 검출할 수 없었던 미세 결함까지 정밀한 결함 검출과 안정적인 수율 확보 를 지원하고 있습니다.결과적으로, KROKY는 첨단 패키징 시대의 HBM 생산라인에서 필수적인 검사 솔루션으로 자리매김하고 있으며, 향후 HBM의 다층화가 진행될수록 제조 난이도가 높아짐에 따라 KROKY 장비의 필요성과 중요성은 더욱 커질 것입니다.반도체 산업은 앞으로 미세화를 위한 공정 난이도 증가와 적층의 고단화, 패키징의 고도화가 가속되면서 제조 난이도가 가속화 될 것으로 예상됩니다. 당사는 이러한 기술 환경의 변화 속에서 전공정과 후공정을 아우르는 Inspection 검사 장비 분야의 토탈 솔루션 기업으로서, 축적된 광학 및 검사 기술력을 기반으로 첨단 반도체 제조 공정의 품질 향상과 수율 극대화에 지속적으로 기여해 나가겠습니다.

2. 주요 제품 및 서비스

가. 주요매출 현황

나. 주요 제품 등의 가격변동추이

(1) 연도별 매출 금액

(2) 단가

당사의 제품단가는 각 거래선별로 Spec, 사후 지원 등의 차이로 인해 각각의 제품종류 및 특성에 따라 단가를 책정하고 있으며, 가격 경쟁 및 정보 유출의 우려가 있어 기재를 생략합니다.

3. 원재료 및 생산설비

가. 주요 원재료 매입현황

(1) 전체현황

주) 상기 표는 본사의 제품매출원가와 매입거래내역 입니다.

주) 본사와 관계회사의 별도재무제표 기준 금액이며, 내부거래 금액이 포함되어 있습니다

(2) 원재료 가격변동추이

나. 생산능력 및 생산실적 (1) 생산능력넥스틴 본사는 위치한 경기도 화성시 동탄산단9길 23-12에 위치한 관계사 AP시스템 제2공장의 7층 건물에 소재하고 있으며, 3층에 생산 시설을 갖추고 있습니다. 넥스틴은 장비 제조와 연구 개발 활동을 위하여 1,339.8m2의 클린룸과 고객사의 물량증가 및 신규고객사 대응을 위해 외부에 1,089m2의 클린룸을 임대 했습니다. 넥스틴 장비의 제조 기간은 약 3개월로 , 현재 연간 60대~70대 수준의 생산시설을 보유하고 있습니다. 또한 생산된 제품의 성능평가에 필수적인 300mm Review SEM을 동시에 보유하고 있습니다.

(2) 생산실적

다. 생산설비에 관한 사항

당사의 제품의 특성 상 대부분의 제품은 Spec에 맞춰서 Module화가 되어 입고되고 있습니다. 해당 부품들의 설계는 당사 내부에서 진행하고 있으며, 각 협력업체로부터 당사 Spec에 부합되는 업체를 선별하여 입고를 진행합니다.

그러므로 당사 내부 부품 반입 후 이루어지는 공정은 Module화 된 부품의 조립공정, S/W 장착 및 Test공정으로 나눌 수 있습니다. 이로 인해 당사의 경우 생산을 위한 설비 비중이 매우 낮습니다.

(1) 주요 설비 현황

(2) 설비의 신설 매입계획

4. 매출 및 수주상황

가. 매출개요

나. 매출실적

다. 수출 현황

라. 수주현황

당사는 고객사부터 주문을 받아 제품을 생산하여 판매를 하는 공급업체이기 때문에 최종 반도체 제조업체의 제품생산계획, 공정설비계획 및 집행 등에 따라 당사 제품 주문이 결정됩니다.

2026년 당반기말 당사의 수주 현황은 다음과 같습니다.

5. 위험관리 및 파생거래

(1) 재무위험관리요소연결회사는 경영활동과 관련하여 신용위험, 유동성위험 및 시장위험 등 다양한 금융위험에 노출되어 있습니다. 연결회사는 금융위험이 경영에 미칠 수 있는 불리한 효과를 최소화하기 위해 노력하고 있습니다.1) 신용위험관리연결회사는 채무불이행으로 인한 재무적 손실을 경감시키기 위하여 신용도가 일정 수준 이상인 거래처와 거래하고, 충분한 담보 또는 지급보증을 수취하고 있습니다. 연결회사는 신용위험노출 및 거래처의 신용등급을 주기적으로 검토하여 거래처의 여신한도 및 담보수준을 재조정하는 등 신용위험을 관리하고 있습니다.당반기말과 전기말 현재 금융상품 종류별 신용위험의 최대 노출금액은 다음과 같습니다.

2) 유동성위험관리연결회사는 미래의 현금흐름을 예측하여 단기 및 중장기 자금조달 계획을 수립하여 유동성위험을 관리하고 있으며, 당기말과 전기말 현재 금융부채의 잔존계약 만기에 따른 만기분석내용은 다음과 같습니다.

<당반기말>

<전기말>

3) 시장위험연결회사는 환율과 이자율의 변동으로 인한 시장위험에 노출되어 있습니다.(가) 외환위험관리

① 당반기말과 전기말 현재 외환위험에 노출되어 있는 연결회사의 주요 외화자산 및 외화부채의 원화환산 기준액은 다음과 같습니다.<당반기말>

<전기말>

② 연결회사는 외화거래 수행에 따라 다양한 환율변동위험에 노출되어 있습니다. 당반기말과 전기말 현재 주요 통화별 환율변동시 민감도 분석내용은 다음과 같습니다.

(나) 이자율위험관리연결회사는 고정이자율과 변동이자율로 자금을 차입하고 있으며, 이로 인하여 이자율위험에 노출되어 있습니다. 연결회사는 고정금리차입금과 변동금리차입금의 적절한 균형유지 정책을 수행하는 등 이자율위험을 관리하고 있으며, 이자율위험에 노출된 차입금 내용은 다음과 같습니다.

이자율 1% 변동시 민감도 분석내용은 다음과 같습니다.

(2) 자본위험관리연결회사의 자본관리 목적은 계속기업으로 영업활동을 유지하고 주주 및 이해관계자의 이익을 극대화하고 자본비용의 절감을 위하여 최적의 자본구조를 유지하는데 있습니다. 연결회사는 배당조정, 신주발행 등의 정책을 통하여 자본구조를 경제환경의 변화에 따라 적절히 수정변경하고 있습니다. 연결회사의 자본위험관리정책은 전기와 중요한 변동이 없습니다.

6. 주요계약 및 연구개발활동

<경영 상의 주요계약> 현재 회사의 재무상태에 중요한 영향을 미치는 비경상적인 중요계약은 존재하지 않습니다 <연구개발활동>

가. 연구개발조직

당사는 계속적인 기술개발을 최우선으로 하는 반도체 웨이퍼 미세결함 검사장비 산업에 맞추어 한국산업기술진흥협회에 등록된 국내 기업부설연구소 및 이스라엘 현지에 연구소를 설립하여 운용하고 있습니다.

(1) 연구개발 조직 개요

1) 넥스틴 부설연구소

넥스틴 부설연구소는 2012년 11월에 한국산업기술진흥협회에 등록되어 넥스틴의 성장에 기여하였습니다. 당사의 연구소는 반도체 웨이퍼 미세결함 검사장비 사업에 필수적이며 기술 전문 기업인 당사의 핵심부서로서 연구개발 결과는 매출에 지대한 기여를 하고 있습니다.

또한 연구 개발 단계부터 개발된 요소 기술 및 제품의 신뢰성을 검증하기 위하여 성능평가팀(Characterization & Performance Assurance Team)을 부설 연구소 내에 별도의 조직으로 운영하고 있습니다.

생산팀에서 생산한 제품을 고객에게 출하하기 전에 성능평가팀이 제품의 모든 성능이 정해진 목표치(Product Specification)에 도달하였는지를 업무 표준(Work Procedure Specification)에 따라 사전에 검사를 진행하여 하자 발생의 가능성을 원천적으로 봉쇄하고 있습니다.

2) 넥스틴 이스라엘연구소

당사는 국내 중소기업 중에 유일하게 이스라엘에 이미지 프로세싱 연구소를 2012년 11월 설립하여 운영하고 있습니다. 이스라엘이 보유한 첩보위성의 고해상도 촬영 기술을 국내에 있는 소프트웨어 엔지니어와 협업하여 당사 장비에 필요한 이미지 프로세싱기술로 개발하고 있습니다. 10명의 소프트웨어 개발 인원을 확보하고 있으며 계속적인 충원중으로 장비 개발에 충분한 인원을 보유하고 있습니다.

3) 연구개발인력 증감표

4) 연구개발인력 구성

5) 주요 연구개발인력 현황

나. 기술경쟁력

(1) 최근 3개년 주요 연구개발 실적

(2) 주요 연구개발 계획

(3) 보유 기술의 경쟁력

세계적인 기술 선도업체인 미국 KLA 사는 1988년 세계 최초로 반도체 패턴 결함 검사기를 출시한 이후 계속하여 1차원 스캐닝 방법을 기반으로 하여 기술을 발전시키고 있으나 최근에는 신규 장비의 출시 기간이 늘어나는 등 기술 개발의 한계에 다다른 것으로 보이고 있습니다. 이에 반하여 당사는 대면적의 빛을 다수의 CMOS 센서로 공간적으로 분할하는 2차원 이미징 기술을 세계 최초로 개발하여 특허로 보호받고 있습니다. 이러한 2차원 이미징 기술은 최신의 이미지 프로세싱 기법인 딥러닝(Deep Learning)에 기반한 알고리즘 적용에 적합하여 향후 기술 개발의 가능성이 무궁무진합니다. 또한, 해외 경쟁사인 미국 KLA 사는 반사광을 이용하는 Bright-field 검사 장비와 산란광을 이용하는 Dark-field 검사 장비가 각각 별개의 플랫폼(Flatform) 장비인데 반하여 당사는 두가지 기술을 한 장비에 구현한 복합 장비(Combo-system)으로 사용자의 선택 다양성을 극대화하여 특히 200mm fab 과 같은 중소형 고객사들에게 많은 이점을 제공하고 있습니다.

이러한 2차원 이미징 기술의 장점을 기반으로 세계 최초로 다중비초점면 검사 기술(TSOM: Through-focus Scanning Optical Microscope)을 개발하여 미국, 일본 등에 해외 특허를 등록하였습니다.

(4) 지적재산권 현황

(5) 외부기관의 기술평가 내역

대상기술: 반도체 전공정용 패턴 결함 검사 기술

평가결과: A (나이스평가정보), T2(기술보증기금 KIBO-2015-01-003522)

평가 내역: 당사는 해외 장비가 주류였던 반도체 전공정용 광학검사장비를 국산화에 성공하였고, 공공기관 및 국내 반도체 제조사의 국산화 정책과 세계 무역 동향 등을 고려할 경우 보유 기술력에 기반한 지속적인 수주 물량 확보 가능성이 높음으로 판단됩니다.

다. 연구개발비용

7. 기타 참고사항

가. 업계의 현황

(1) 산업의 현황 및 특성

[반도체 소자의 제조 공정]

실리콘 원판 위에 반도체 소자의 전기적 회로를 제작하기 위한 전(前)공정(Front-end Process)은

1) 웨이퍼 표면에 회로가 그려질 얇은 막을 증착하는 박막(Thin Film) 공정,

2) 증착된 박막에 전기적 특성을 제공하기 위하여 불순물(Dopant)을 주입(Doping)하는 불순물 주입(Implantation) 공정,

3) 주입된 불순물이 박막에 적절히 분포하도록 열을 가하는 열처리 (Diffusion) 공정,4)레티클(Reticle) 또는 마스크(Mask)에 사전 제작된 회로 패턴 (Pattern)을 박막 표면에 전사하기 위하여 감광제(Photo Resist)를 필름 표면에 바르고 (Coating) 노광 후 감광된 감광제를 제거하여 현상(Developing)하는 사진(Lithography) 공정,

5) 남아 있는 감광제를 보호막으로 이용하여 노출된 필름을 제거하는 식각(Etch) 공정,6) 남아 있는 감광제를 제거하고 부가적으로 형성된 이물질을 제거하는 세정(Cleaning) 공정,

7) 만들어진 회로 패턴을 보호하고 절연을 시키기 위한 후막(Thick Film)을 만드는 증착(Deposition) 공정,

8) 증착된 후막을 이후 사진 공정을 위하여 평탄하게 만드는 평탄화(Planarization) 공정,

9) 형성된 패턴의 크기, 두께, 불순물 농도 등을 측정하는 계측(Metrology)공정과 불량으로 형성된 패턴 결함(Pattern Defect)과 이물(Particle) 등을 검출하는 검사(Inspection) 공정으로 구성됩니다.

최신 반도체 소자의 제조를 위한 전(前)공정은 약 3,000 개의 단위 공정으로 구성되어 있으며 계측, 검사 공정의 비율은 약 30%에 이르고 있습니다.

[계측, 검사 공정의 중요성]

실리콘 원판 위에 제작되는 반도체 소자의 집적도가 2년마다 두 배 증가한다는 무어의 법칙에 따라 반도체 소자의 임계선폭(Critical Dimension)의 미세화가 진행되면서 반도체 공정의 관리폭(Process Margin)도 점점 극한으로 작아지고 있으며, 이에 따라 수율 확보 및 관리에 어려움이 더욱 커지고 있습니다. 반도체 제조 공정의 수율 저하 요인의 약 60%는 박막 두께의 오류, 임계선폭의 오류, 오정렬, 주입된 이온 농도 및 분포의 오류 등으로 알려져 있으며(Metrology Loss), 나머지 약 40%는 패턴 결함 때문인 것으로 알려져 있습니다(Inspection Loss). Metrology Loss는 공정 품질의 개선 및 관리를 통하여 통제가 가능한 항목이나 패턴 결함의 발생은 미리 예상하거나 예방이 불가능하여 Inspection Loss 의 관리가 수율 확보에 가장 중요한 항목입니다

[반도체 전(前)공정의 패턴 결함 검사 기술의 개요]

반도체 전(前)공정 패턴 결함 검사(Inspection) 기술은 웨이퍼를 이용하여 전기회로를 형성하는 과정에서 발생하는 패턴의 결함 및 이물을 검출하는 것으로서 반도체 후(後)공정에서 반도체 소자의 전기적 특성을 평가하는 검사(Test) 기술과 전혀 다른 분야입니다.

다음은 반도체 전(前)공정 패턴 결함 검사는 웨이퍼 표면에 형성된 회로의 이미지를 촬상한 후 반복되는 동일한 이미지와 비교하여 차이점을 검출하는 과정입니다.

반도체 전공정용 패턴 결함 검사 장비의 시장 규모는 전방 산업인 반도체 소자 산업의 투자 규모에 의하여 결정됩니다. 반도체 소자 산업의 투자 싸이클(Cycle)을 분석, 추정하여 반도체 전공정용 패턴 결함 검사 장비 시장의 변화를 예측할 수 있습니다.

[산업의 특성]

반도체 장비산업의 특징은 1) 기술집약형 산업, 2) 급속한 기술혁신이 요구되는 산업, 3) 반도체 업계의 성장추이에 종속, 4) 고가의 자본재 산업, 5) 진입장벽인 높은 산업, 6) 수입의존도가 높은 산업 등으로 요약할 수 있습니다.

반도체 장비는 반도체 생산의 필수요소 산업으로 반도체 제조 기술을 선도하며, 높은 전후방 효과로 타 산업에의 파급효과가 큰 산업입니다. 반도체 장비는 디스플레이, 태양광, LED 등의 생산장비와도 밀접하게 연계되어 있으므로, 향후의 경제 산업적 파급효과를 고려하여 관련 산업의 육성이 반드시 필요한 분야입니다. 반도체 장비산업의 전방산업은 반도체 소자, 디스플레이, LED, OLED, 태양광 장비, 바이오, MEMS, 센서 등이며, 후방산업은 전자/전기 공학, 광학, 화학, 정밀가공 기술, 기계 설계 등 산업으로 규정할 수 있습니다.

(2) 산업의 성장성[세계 반도체 시장 상황]

차세대 기술인 AI관련기술(자율주행,인공지능)이 부상함에 따라 첨단반도체, 미세공정으로의 지속적인 투자가 이루어지고 있으며, 무엇보다 반도체 산업기술의 중요성이 그 어느 때보다 중요해짐에 따라 각국 및 글로벌 장비회사들은 앞다투어 세계 곳곳에 Fab건설을 계획하거나 여러 투자방안을 실행에 옮기고 있습니다.반도체 생산에 있어서, 특히 공정이 미세화될수록 계측과 검사의 중요성은 나날이 커지고 있어 해당장비의 니즈, 속도 등이 중요해짐에 따라 지속적인 연구개발과 필요성이 커질 것으로 예상되고 있습니다. 5G 통신 기술의 확대와 더불어 자율주행 자동차 시장이 급격히 확대되고 있으며, 이에 따라 지금까지는 반도체 소자의 주요 수요처가 ICT 산업이었으나 앞으로는 자율/전기 주행차 산업을 비롯한 사물인터넷(Internet of Things: IoT) 기반의 운용기술(OT: Operation Technology) 산업분야의 반도체 수요가 급격히 증가할 것으로 예상됩니다.글로벌 반도체 산업은 기존 소비자용·스마트폰용 중심에서 벗어나 AI(인공지능) 중심으로 구조가 대전환되고 있습니다. 특히 초대형 언어모델(LLM), 생성형 AI, 데이터센터 가속화에 따른 연산 수요 폭증은 반도체 제조사와 메모리·패키징 분야에 새로운 성장 모멘텀을 제공하고 있습니다.

AI 반도체 애플리케이션이 대규모화됨에 따라, 단순히 연산(Logic) 성능만이 아닌 메모리 대역폭(Bandwidth) 및 패키징 적층(Stacking) 역량이 성능의 병목이 되고 있습니다. 예컨대, HBM은 메모리 칩을 수직 적층하고 TSV(Through-Silicon Via) 등을 통해 GPU/AI 가속기와 밀접히 연결됨으로써 기존 DRAM 대비 월등히 높은 대역폭을 제공하고 있습니다. 이런 맥락에서 메모리 시장 내에서 HBM이 ‘메모리 성장의 핵심 축’으로 부상하고 있으며, 동시에 HBM 이후 HBF(High Bandwidth Flash) 등 새로운 메모리 계층이 논의되기 시작했습니다.

[반도체 패키징의 발전과 HBM의 부상] 반도체 산업은 1965년 고든 무어(Gordon Moore)가 주장한 '무어의 법칙'에 따라, 약 2년마다 반도체 소자의 크기가 절반으로 축소되는 방향으로 발전해 왔습니다. 이 법칙은 약 30년 동안 반도체 산업의 철학으로 받아들여지며, "더 작고, 더 빠르고, 더 저렴하게"를 목표로 기술 혁신을 이끌어 왔습니다. 그러나 무어의 법칙에 기반한 스케일 다운(scale-down) 공정은 물리적 한계에 다 다르기 시작했습니다. 이에 따라 단순한 소자 소형화 시대를 넘어, 이종 소자(Logic, Memory 등)의 접합 및 적층을 통해 기존 패키징 기술과 접목하는 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술의 혁신이 요구되었습니다.특히 다양한 칩들을 하나의 패키지 내에서 효율적으로 연결하는 2.5D 및 3D 적층 기술이 발전하면서, 신호 전송의 병목 현상을 줄이기 위해 고대역폭의 메모리가 필요 해졌습니다. 이 과정에서 HBM(High Bandwidth Memory), 즉 기존 일차선 도로처럼 제한된 대역폭이 아닌, 다중 차선의 고속도로처럼 넓은 데이터 통로를 제공하는 메모리 기술이 등장하고 발전할 수 있었습니다.

HBM은 기존 DRAM 대비 최대 수십 배에 달하는 고대역폭을 제공하며, 고성능 컴퓨팅(HPC), AI, GPU, 서버 등 다양한 분야에서 필수 요소로 자리잡고 있습니다.

특히 AI 반도체 시장이 연간 고성장세를 보이는 현재, 챗GPT와 같은 텍스트 기반 AI는 물론, 이미지 AI까지 다양한 영역에서 AI 기술이 산업용 대규모 데이터 처리뿐만 아니라 인류의 일상생활 깊숙이 적용되고 있습니다. 이에 따라 AI 반도체 수요 역시 지속적으로 증가하고 있습니다.

[한국 반도체 시장 상황]

최근 글로벌 반도체 시장은 경기 변동과 IT 수요 둔화의 영향을 받으며 단기적인 조정을 거쳤으나, 인공지능(AI) 확산과 데이터센터 투자 확대를 중심으로 점진적인 회복세를 보이고 있습니다. 특히 고성능 연산을 위한 메모리 수요가 늘어나면서, HBM(High Bandwidth Memory) 등 고대역폭 메모리가 주요 성장 동력으로 부상하고 있습니다.국내 반도체 산업은 메모리 중심의 경쟁력을 기반으로 첨단 공정 및 패키징 기술 확보에 주력하고 있으며, AI 반도체용 HBM 생산 확대를 위한 투자가 이어지고 있습니다. 이에 따라 공정 미세화와 적층 기술의 정밀도가 높아짐에 따라 검사장비의 중요성도 한층 부각되고 있습니다.향후에는 AI 및 HPC(High Performance Computing) 시장의 성장에 따라 HBM을 비롯한 첨단 반도체 수요가 확대될 것으로 예상되며, 이에 대응하기 위한 후공정 및 검사 장비 분야의 기술 혁신이 지속적으로 요구될 전망입니다.

(3) 경쟁요소

[경쟁업체 현황]

미국 KLA 사의 Dark-field 장비인 KLA9xxx 시리즈 제품이 업계 표준(Industry Standard)처럼 자리 잡고 있으며, 해외 시장을 95% 독점하고 있습니다. 넥스틴 장비와 검출 감도는 유사한 수준이며, KLA 장비 대비 넥스틴의 가격 경쟁력이 뛰어납니다.

당사가 2020년 6월 출시한 AEGIS-II 모델의 장비는 검출 감도의 개선은 물론 검사 속도 약 10% 정도 개선되었으며, 22년 3분기 기점으로 차세대모델인 AEGIS-III모델을 개발완료함에 따라 KLA 사와의 기술 격차를 점차적으로 줄여나가고 있습니다.

중국 반도체 업체들이 KLA 사의 제품을 사용하기에 정치적/물리적 제약이 있어 중국부문 수출도 점차 늘어날 것으로 예상됩니다.(4) 경기변동 및 시장변동의 특성

당사 제품이 수출되고 있는 중국은 현재 20% 수준의 반도체 자급률을 70%까지 높이겠다는 계획을 세우고 이에 미국은 중국의 지적재산권 도용과 외국 기업에 대한 기술이전 강요 및 탈취, 자국기업 보조금 지원 등에 대한 개선을 요구하고 있으며, 최근에는 반도체 제작공정에 필수적인 자국 장비회사들의 중국수출을 제한하는 등 전방위적인 압박을 시행하고 있습니다. 이에 따라 중국 반도체 제조사들은 미국이 아닌 국내 시장의 반도체 장비에 눈을 돌리고 있으며, 중국의 투자가 늘어남에 따라 시장도 성장할 것으로 기대하고 있습니다.

(5) 관련법령 또는 정부의 규제

반도체 장비 산업은 반도체 제조에 필요한 장비를 만드는 산업으로서 세계 반도체 장비 재료 협회(SEMI)의 표준을 준수해야 합니다, 해당 국제표준은 아래와 같습니다.

<SEMI 국제표준>

- 반도체 장비안전 국제표준 ‘S2'

- 반도체 제조 장비의 배기에 대한 환경안전보건(EHS) 가이드라인(SEMI S6-0707)

- 반도체 제조 장비의 화재 위험성 평가 및 완화 안전 가이드라인(SEMI S14-1016)

- 위험성 평가 및 위험성 검토 절차 가이드라인(SEMI S10-0815)

- 작업자 보호 안전 가이드라인(SEMI S21) 등 총 26건

또한 대한민국에서 사업을 영위하는 모든 기업에 적용되는 산업안전보건법, 자연환경보전법, 환경정책기본법, 법인세법, 자본시장법 등의 규제도 받습니다.

나. 회사의 현황 (1) 회사의 개황

[반도체 전(前)공정의 패턴 결함 검사 장비의 개요]

반도체 전(前)공정 패턴 결함 검사 장비는 웨이퍼 표면에 형성된 전기 회로의 이미지를 촬상하고 반복되는 동일한 이미지를 서로 비교하여 차이점을 찾아내는 장비입니다. 웨이퍼 표면에 형성된 전기회로의 촬상 이미지를 얻는 방법에 따라 전자선 검사 장비(E-beam Inspection System)와 광학 검사 장비(Optical Inspection System)로 나누어집니다.

전자선 검사 장비는 이미지를 촬상하기 위한 광원(Illumination Source)으로 2차 주사 전자 (Secondary Electron Scanning)를 사용하여 매우 높은 배율로 확대된 이미지를 촬상할 수 있는 장점이 있어 매우 작은 미소 결함(<7nm)까지 검출할 수 있는 장점이 있으나 전자선을 사용하기 위해서 매우 낮은 압력의 초고진공 상태에서 이미지 촬상을 진행하여야하기 때문에 검사 속도가 매우 느린 단점이 있으며 이에 따라 주로 연구용 목적으로 사용됩니다.

광학 검사 장비는 대기압 하에서 이미지 촬상을 진행하기 때문에 검사 속도가 전자선 검사 장비에 비하여 매우 빠른 장점이 있으며, 사용하는 광원의 파장에 따라 극자외선 (Deep UV, 266nm) 장비, 자외선(UV, 355nm) 장비, 가시광선(Visible, 400nm ~ 600nm) 장비로 나누어집니다. 또는 반사광(Reflected Beam)을 이용하여 이미지를 촬상하는 Bright-field 장비와 산란광(Scattered Beam)을 이용하여 이미지를 촬상하는 Dark-field 장비로 구분하기도 합니다. 활용하는 목적(Application)에 따라 나노미터급(Nanometer Scale) 결함을 검출하는 장비(Inspection System)와 마이크로미터급(Micrometer Scale) 결함을 검출하는 장비(Vision System 또는 Macro Inspection System)로 구분하기도 합니다.

광학 검사 장비는 이미지를 촬영하는 방법에 따라 반사광을 이용하는 Bright-field 검사 장비와 산란광을 이용하는 Dark-field 검사 장비로 구분됩니다.

Bright-field 검사 장비는 주로 극자외선(DUV)을 광원으로 사용하며, 반사광을 이용하여 촬상 하기 때문에 촬상된 이미지의 해상도가 매우 높아 매우 작은 크기의 미소 결함(~ 15nm) 까지도 검출이 가능합니다. 하지만 이를 위하여 높은 배율의 고해상도 이미지를 촬상하여야 하기 때문에 검사 속도가 상대적으로 느리고 장비 가격이 매우 높은 단점이 있습니다. 주로 사진 공정이나 식각 공정에서 발생하는 패턴 결함을 검출하는 목적으로 사용합니다.

Dark-field 검사 장비는 주로 자외선(UV)을 광원으로 사용하며, 산란광을 이용하여 촬상하기 때문에 검사 속도가 상대적으로 빠르고 장비 가격이 낮은 장점이 있으나 산란광으로 획득한 이미지의 해상도 한계 때문에 검출 가능한 결함의 크기가 상대적으로 다소 큰(~ 30nm) 단점이 있습니다.

당사의 장비는 Bright-field 검사와 Dark-field 검사를 위한 광학 구성을 한 장비 내에서 구현하여 Bright-field 검사와 Dark-field 검사를 선택할 수 있는 복합 구성 장비(Combo-system)입니다. 사용 목적에 따라 광경로를 Bright-field 또는 Dark-field 로 선택이 가능하여 최대의 검사 감도를 제공하는 모드(Bright-field Mode or Dark-field Mode)를 선택하여 검사를 진행할 수 있는 장점이 있습니다.

당사는 기술개발을 통해 “세계 최고의 제품을 세계 최고의 시장에 판매한다”는 모토로 기술기반 기업으로 성장하고 있습니다. 제품 개발을 위해 지속적으로 R&D투자와 기술인력을 양성하고 있습니다.

[설립배경 및 설립 이후 성장 과정]

㈜넥스틴은 반도체 소자의 회로 제작 공정에서 발생되는 미소 패턴 결함을 검출하는 웨이퍼 미소 패턴 결함 검사 장비를 제조 및 판매하는 전문기술기업입니다. 국내 중소기업 중에 유일하게 이스라엘에 이미지 프로세싱 연구소를 설립하여 운영하고 있습니다. 2013년부터 산업은행 등 국내 9개의 벤처캐피탈로부터 총 150억원의 투자금을 유치하여 본격적인 기술개발을 시작하고 2014년 국내 최초로 웨이퍼 미소 패턴 결함 검사 장비인 AEGIS Wafer Inspection System의 시제품을 개발하여 독일 프라운호퍼(Fraunhofer) 연구소와 함께 성능 평가를 진행하였고 제품 판매에도 성공하였습니다. 프라운호퍼(Fraunhofer) 연구소는 독일계 반도체 소자회사인 인피니언(Infineon), 글로벌파운드리(Global Foundries), 액스팹(X-Fab) 등의 차세대 공정을 연구하는 세계 최고의 반도체 연구소입니다. 이후 산업통상자원부가 주관하는 반도체장비재료성능평가사업을 통하여 2016년 국내 반도체 소자 업체인 SK하이닉스, 삼성전자 동부하이텍으로부터 성능인증을 획득하기도 하였습니다. 이러한 성과들을 바탕으로 2020년부터 국내 업체 최초로 중국 반도체 소자 제조사들에게 제품을 공급하고 있습니다.

또한 ㈜넥스틴은 2014년, 2017년, 2025년 세차례에 걸쳐 과학기술정보통신부로부터 장영실 상을 수상하는 등 끊임없는 연구, 개발을 통하여 국내 반도체 장비 산업의 고도화를 선도하며 세계 시장으로 진출하고 있습니다. 2014년부터 미래소자 원천기술개발사업의 후원사로서 5년간 매년 1억원씩 국내 대학에 연구비를 지원하는 등 반도체 생태계 육성에도 많은 기여를 하고 있습니다. 2018년 경기도수출유망강소기업, 경기도여성고용우수기업, 가족친화인증기업으로 선정되었으며, 2019년 소재부품장비 강소기업100에 선정되었습니다. 2020년 10월 성공적인 코스닥 상장을 마치고, 매년 기술개발을 통한 신규장비의 출시와 포트폴리오 다각화에 따른 국내외 신규 고객사를 유치하는 등 대내외적으로 당사의 경쟁력을 입증하며, 매년 성장세를 지속하고 있습니다.(2) 시장의 특성 및 전망

[시장의 규모 및 산업의 성장잠재력]

1) 세계 반도체 시장 전망

반도체 전공정용 패턴 결함 검사 장비의 시장 규모는 전방 산업인 반도체 소자 산업의 투자 규모에 의하여 결정됩니다. 반도체 소자 산업의 투자 싸이클(Cycle)을 분석, 추정하여 반도체 전공정용 패턴 결함 검사 장비 시장의 변화를 예측할 수 있습니다.

전세계적인 반도체 수요의 증가로 인해 많은 반도체 제조업체들은 최근 1~2년 사이 생산량 확대를 위해 경쟁적으로 새로운 공장 투자계획을 발표하였습니다. SEMI자료에 따르면 2025년까지 미국, 아시아 등 전세계적으로 20여 개 이상의 New Fab이 건설이 될 예정이며, 이에 따라 반도체 장비 시장도 지속적인 성장이 예상됩니다.최근 자율주행, AI반도체, HBM 등의 이슈와 함께 첨단반도체, 미세공정으로의 지속적인 투자가 이루어지고 있으며, 반도체 기술의 선점을 위해서 각국 및 글로벌 장비회사들은 각국의 정부지원을 받아 Fab건설을 계획하거나 여러 투자방안을 실행에 옮기고 있습니다.

2) 반도체 장비 시장 전망

세계반도체장비재료협회(SEMI: Semiconductor Equipment & Material International)의 자료에 따르면 2026년 반도체장비시장은 약 1,394억 달러로 예상합니다. PIM등 고사양 메모리의 필요성 증대, AI반도체, 자율주행을 위한 차량반도체 등 시스템반도체 분야에서 투자규모는 점진적으로 증가할 것으로 보고 있습니다.

(3) 시장 점유율 등

[진입장벽]

당사의 제품이 포함되는 반도체 장비 산업은 지식집약적 고부가가치 산업으로서, 첨단 부품들로 구성되어 있는 장비를 생산하기 위해 고난이도 수준의 기술을 필요로 함에 따라 타 산업 대비 시장 진입 장벽이 높은 편입니다. 한편, 반도체가 미세화 및 소형화되면서 검사 공정이 증가하여 검사장비의 수요도 지속적으로 높아지고 있어 진입장벽은 더욱 높아지며, 기존에 고도화된 기술을 보유한 업체는 더욱 유리해질 것으로 보입니다. 당사는 기존 경쟁사의 1차원 검사 기술 대비 차별성을 확보하고자 2차원 검사 기술을 개발하였고, 독자적인 라이브러리를 구축하여 기술적 진입 장벽을 형성 중입니다.

당사의 고유한 2차원 이미징 기술과 3차원 이미징 기술은 국내외 특허로 출원되어 충분히 보호받고 있습니다. Dark-field 장비 시장에서 경쟁사는 미국 KLA 사와 일본 Hitachi 사 등 2개사뿐이며, Bright-field 장비 시장에는 미국 KLA 사와 AMAT 사 등 2개사 만이 제품을 판매하고 있을 정도로 시장 진입 및 기술 장벽이 높은 분야입니다.

[경쟁업체 현황 및 시장점유율]

미국 KLA 社: 미국 KLA 사의 Dark-field 장비인 KLA9xxx 시리즈 제품이 업계 표준(Industry Standard)처럼 자리 잡고 있으며, 해외 시장을 100% 독점하고 있습니다. 넥스틴 장비와 검출 감도는 유사한 수준이며, 검사 속도는 약 10% 정도 빠릅니다. KLA사 제품의 가격은 넥스틴 장비에 비하여 2~3배 비싼 상황이어서 넥스틴의 가격 경쟁력이 뛰어납니다.

당사는 지속적인 연구개발을 통하여 2020년 AEGIS-II, 2022년 AEGIS-III , 모델을 개발함으로서 검출 감도의 개선은 물론 검사 속도도 KLA 사와의 기술 격차를 점차적으로 줄여나가고 있습니다.

일본 Hitachi社: 일본 Hitachi 사의 Dark-field 장비인 IS4xxx 시리즈 제품은 국내 삼성전자와 하이닉스 반도체만 사용하고 있으며, 수량 기준으로 국내 시장의 40% 정도를 차지하고 있습니다. 나머지 시장은 미국 KLA-Tecnor 사의 KLA9xxx 시리즈 제품이 차지하고 있습니다. 국내 반도체 소자업체는 중요한 공정(Critical Process Step)에는 KLA 사의 제품을 사용하고 그렇지 않은 일반 공정(Non-critical Process Step)에는 Hitachi 사의 제품을 사용하고 있습니다.

일본 Hitachi는 주력 제품이 메탈/소재 부분이며 반도체 전공정 검사 장비 제작에 추가적인 투자는 하지 않을 것으로 추측됩니다. 또한 가격/품질 면에서 당사의 제품은 Hitachi의 제품보다 경쟁력이 있어 삼성전자, SK하이닉스 쪽 점유율을 높여나갈 것으로 예상됩니다. 또한 중국 반도체 업체들이 KLA 사의 제품을 사용하기에 정치적/물리적 제약이 있어 중국부문 수출도 점차 늘어날 것으로 예상됩니다.

[경쟁사 대비 비교우위]

당사 장비는 180Hz 레이저를 사용하며, 최대 검출 감도는 30~40mm, 최대 검사속도는 300mm 웨이퍼 기준으로 시간 당 40~50매로 세계 최고의 기술력을 가진 KLA 장비와 동등한 성능을 가지고 있으며 Hitchi 장비보다는 3년의 기술력 차이(당사 우위)를 보이고 있습니다. 가격 경쟁력 면에서도 KLA장비에 우위를 보이고 있습니다. 당사의 제품은 국내 삼성전자, SK하이닉스, 매그나칩 반도체 등에 판매되고 있을 뿐만 아니라 세계 최대의 반도체 연구소 중 하나인 도이칠란트 Fraunhofer-Gesellschaft zur Forderung der angewandten Forschung e. V.를 비롯하여 중국 YMTC, 중국 최대 파운드리업체 SMIC 등 해외 반도체 회사에 수출되고 있습니다.23년은 당사의 신규 제품인 정전기 제거 장비인 RESQ가 계획대로 고객사에 데모장비로 납품되어 본격적인 테스트를 진행되었으며, 단일장비만 판매했던 과거와 달리 포트폴리오를 다각화, 변동성 있는 반도체 및 반도체장비시장에서 Risk를 줄이며, 새 시장으로의 진입으로 인한 당사 매출 상승에 기여할 것으로 기대하고 있습니다.24년에는 당사의 신규 제품인 3차원(3D) 웨이퍼 검사 장비 IRIS-II를 고객사에 공급하였습니다. 본 장비는 근적외선(NIR)을 활용하여 낸드플래시 공정에서 3D로 웨이퍼의 결함을 검사하는 장비입니다. 근적외선은 가시광선보다 투과성이 높아 표면뿐 아니라 내부 구조 분석에도 유리합니다. 따라서 낸드의 하단부에까지 파장이 닿기 때문에 낸드의 적층화가 고단화되는 추세에 기존 장비의 한계를 극복해 주목을 받고 있습니다.

25년 당사는 신규 제품인 HBM 검사 장비 KROKY를 고객사에 공급하였습니다.HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 층층이 쌓은 구조로, 각 D램을 본딩하고 절단하는 과정에서 웨이퍼가 휘는 현상(워피지), 칩에 금이 가는 현상(크랙), 칩이 깨지는 현상(칩핑) 등이 발생합니다. KROKY 장비는 이러한 불량을 검사하는 핵심 역할을 담당하고 있습니다.

칩핑(Chipping)과 크랙(Crack)은 반도체 제조 및 패키징 공정에서 수율과 장기 신뢰성에 직접적으로 영향을 미치는 매우 중요한 결함입니다. 특히 HBM과 같은 고성능 반도체 제품에서는 이러한 결함이 치명적인 문제를 일으킬 수 있어, 초기에 반드시 정밀한 검사를 통해 선별 및 관리가 이루어져야 합니다.

칩핑은 주로 웨이퍼 다이싱이나 후공정 과정에서 다이의 가장자리(Edge) 부분이 손상되는 현상을 의미합니다. 이처럼 눈에 잘 띄지 않는 미세한 손상이라도 패키징 과정 중 응력 집중을 유발해 패키지의 신뢰성을 저하시킬 수 있으며, 최종 제품의 성능과 수명에도 악영향을 미칠 수 있습니다. 크랙은 다이 또는 패키지 내부에 미세한 균열이 발생하는 현상으로, 초기에는 작은 손상에 불과할 수 있지만 시간이 지나면서 다양한 외부 요인예를 들어 열(Temperature), 습기(Moisture), 기계적 스트레스(Mechanical Stress)에 의해 점점 확장될 수 있습니다.특히 고속 동작과 고밀도 집적 회로를 사용하는 최신 반도체(HBM, AI 칩 등)에서는 결함 허용 범위가 매우 작기 때문에, 사소한 크랙 하나라도 제품의 기능을 심각하게 저해할 수 있습니다. 칩핑과 크랙은 단순한 외관상의 문제가 아니라 제품의 초기 품질 확보와 장기적인 신뢰성 확보를 위해 반드시 공정 초기에 정확하게 검출 및 관리해야 하는 핵심 결함입니다. 특히 고객사 품질 인증과 최종 제품 신뢰성 확보를 위해, 이들 결함에 대한 철저한 검사가 요구되고 있습니다.

당사는 이런 심각한 웨이퍼 워피지(Warpage) 현상에도 불구하고, 칩핑(Chipping) 및 크랙(Crack) 등 미세 결함을 안정적으로 검사할 수 있는 장비인 크로키(KROKY)를 개발하였습니다. 크로키 장비는 기존 글로벌 광학 검사 장비 업체들이 해결하지 못했던 문제를, 광원의 최적화 (광원의 세기, 입사각 등)로 극복하여, 12단 HBM3E의 다이 엣지를 포함한 전 영역에 대해 음영 없이 선명한 이미지 확보를 가능하게 하였고, 이를 통해 정확한 결함 검출 및 굿 다이 선별을 실현했습니다. 이러한 기술력으로 넥스틴은 국내 HBM 라인에 크로키 장비를 공급하기 시작했으며, 유일하게 12단 HBM3E 검사를 지원할 수 있는 설비를 상용화하는 데 성공하였습니다.

HBM의 적층이 고단화될수록 웨이퍼 두께는 더욱 얇아지며, 이에 따라 워피지 현상이 심화되어 불량률이 증가할 것으로 예상됩니다. 현재 당사의 KROKY 장비는 경쟁사 대비 우수한 불량 검출 능력을 보유하고 있어, HBM 고단화에 따른 불량 심화에도 당사의 장비 수요는 지속적으로 증가할 것으로 예상됩니다.

(4) 조직도

2. 연결재무제표

3. 연결재무제표 주석